ИСТОЧНИКИ ПАРОВ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ НАУЧНЫХ ИCCЛЕДОВАНИЙ И ТЕХНОЛОГИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК. ОБЗОР.

А. С. Золкин
E-mail: Zolkin@phys.nsu.ru

Описаны источники паров металлов непрерывного и импульсного действия с термическим нагревом, для применения в физике и технологии тонких пленок. Течение пара через сопло в вакуум происходит, как правило, в режиме близком к сплошному. Максимальная температура и давление пара: Т0 = 2800К, Р0 = 105 Па. По конструктивным признакам источники разделены на однотемпературные и двухтемпературные. В последних сопло имеет дополнительный нагреватель для перегрева пара. Использование двухтемпературных источников в технологиях позволяет управлять металлогазодинамическим потоком и получать атомные, кластерные пучки без микрокапель в потоке пара.

1. Введение

Традиционно источники паров металлов создавались для проведения фундаментальных и прикладных исследований в физике и химии [1-5], где их развитие начиналось с источника атомного пучка натрия. Сведения об этом опубликованы в 1911 году Л. Данойером [6]. В дальнейшем применяли источники типа ячейки Кнудсена, свойства и характерные особенности которой в настоящее время в основном установлены [7]. Практическое использование результатов изучения таких источников мы наблюдаем, например, в методе молекулярно-пучковой эпитаксии [8]. По мере развития техники молекулярных пучков [9,10] требования к источникам паров металлов, возрастают - необходимы высокая интенсивность и качество парового потока. В частности, для экспериментов в области термоядерного синтеза для перезарядки протонных пучков нужны парометаллические мишени с большой оптической плотностью и стабильностью параметров [11-16]. Ситуация резко изменилась с начавшимися [17,18] фундаментальными исследованиями физики и химии кластеров. Появилась потребность в источниках паров металлов, надежность которых не уступает широко применяемым газовым [ 19]. Наиболее активно источники паров металлов разрабатывались для решения задач в области материаловедения: синтеза тонких пленок в микроэлектронике и получения металлических покрытий в электротехнике. При этом одновременное развитие техники и исследований физики роста пленок вызывает не только потребность постоянного усовершенствования существующих и поиск новых методов получения пленочных структур, но и активизирует изучение свойств материалов в зависимости от условий их получения. Так при разработке новых способов выращивания металлических пленок в настоящее время основное внимание уделяется управлению парометаллическими потоками: энергетическим состоянием конденсирующихся частиц, их молекулярным составом, интенсивностью, пространственным распределением потока и т.п. Известно, что широко распространенные испарители открытого типа, включая квазизамкнутые, даже при постоянной температуре характеризуются нестабильностью диаграммы направленности паровой струи во времени. Радиационная нагрузка на поверхность роста пленок от этих источников, иногда, сравнима с энергией конденсации парового потока. Поэтому при их использовании непросто получить воспроизводимые пленочные структуры с контролируемыми параметрами. Особые трудности возникают при больших скоростях испарения, когда в потоке обычно присутствуют микрокапли.
Усилия по созданию интенсивных парометаллических источников предпринимаются учеными различных областей знания. Действительно, источники паров металлов применяются в ядерной физике в установках для загрузки ионами электронных колец коллективного ускорителя тяжелых частиц [20, 21] и для спектроскопических исследований, в экспериментах и технологиях по лазерному или электромагнитному разделению изотопов [22], в имплантерах [23] или в исследованиях по лазерному охлаждению[59]. При этом качество получаемых результатов во многом зависит от характеристик используемых потоков: пространственной структуры, фазового состава струи, стабильности параметров во времени и др.
Создание источников паров металлов высокой интенсивности связано с решением многочисленных теплофизических задач. Часть из них решена, другие - на стадии исследования. Например работы, проведенные в ядерной энергетике по высокотемпературному нагреву, кипению и испарению жидких металлов-теплоносителей, выявили условия их взрывного кипения, которые могут приводить к разрушению источников [24].
В данном обзоре представлена информация об известных источниках паров металлов с термическим нагревом, широко используемых в научных исследованиях и технологиях. Основное внимание уделено интенсивным источникам, когда в потоке пара часто присутствуют капли и трудно получить необходимые моноатомные потоки вещества.
Цель обзора - показать, как создать интенсивный источник паров металлов с контролируемыми параметрами для исследований в области материаловедения, преимущественно для вакуумной металлизации материалов.

2. Классификация источников

Источники паров металлов, использующие термический нагрев вещества, могут быть сгруппированы по близким признакам - теплофизическим или конструктивным.
К первой группе отнесены источники, в которых расплав вещества и его пар находятся в одной камере. При этом пар вещества расширяется в вакуум из насыщенного состояния или близко к нему. В таких источниках область сопла или отверстий, через которые вытекает пар, как правило, имеет слабую защиту от потери теплоты излучением и обычно они имеют один нагревательный элемент, окружающий испаритель. Источники этой группы объединены общим конструктивным признаком, - используется один нагревательный элемент, что существенно ограничивает возможности физического эксперимента из-за трудности автономно изменять параметры расширения пара: давление Р0 и температуру Т0 , тем более - один из них. Однако, с помощью подобных источников получен/subы многие интересные и важные результаты. Такие источники здесь названы однотемпературными [25-36].
Ко второй группе отнесены источники, в которых пар нагревается перед расширением для уменьшения или исключения конденсации в области сопла. В таких источниках возможно управлять температурой пара, расширяющегося через сопло в вакуум. Использование таких источников в научных исследованиях или технологических установках позволяет получать постоянные во времени потоки вещества и, следовательно, воспроизводимые по свойствам пленки. Это дает возможность проводить физические эксперименты, где важна роль параметров парового потока и, соответственно, его состав, однородность и стабильность во времени. Как правило, такие источники имеют два нагревательных элемента, или две нагреваемые области: тигель с испаряемым веществом и перегреватель пара. Такие источники названы двухтемпературными [37-54].
Источники, выделенные в каждую группу, имеют отличия, характеризующие конкретную область их применения. Эти отличия связаны, как правило, с целью научного исследования, или технологического процесса и, прежде всего, являются конструктивными особенностями. В основном же свойства парового потока определяются теплофизическими условиями. Именно они влияют на качество полученных результатов. Поэтому в данной работе на примере конкретных устройств мы обратим внимание на теплофизические особенности работы источников каждой группы с целью выбора схемы надежного источника паров веществ с высокой интенсивностью.

Основные характеристики потока

Расширяющийся из источника пар металла можно считать одноатомным газом, если пар не содержит полиатомных молекул или микрокапельную фазу. В этом случае для расширения пара через сопло круглого сечения основные характеристики потока выражаются следующим образом [55].
Температура (К) и давление (Па):

(1)

,где b = x/d (x - расстояние от точки измерения до сопла; d - диаметр сопла). Скорость потока (м/с):

где масса m выражена в атомных единицах массы (1 а.е.м. = 1.660Ч10-27 кг); M - молекулярная масса; k - постоянная Стефана-Больцмана. Масовый поток через сопло: (2)

где d - диаметр сопла, мм. Интенсивность на оси струи:

Для парового потока, который может быть осажден на поверхность и превращен в пленку конденсата, J(x) может быть представлена таким образом:

где dz/dt = J(x)/r выражена в мм/с; r - плотность вещества в твердом состоянии; dz - толщина напыленного слоя за время dt. Для реальных потоков приведенные зависимости должны быть уточнены. Например, бесстолкновительное течение ограничивает применение формул (1), вязкостные эффекты в сопле уменьшают массовый поток J, а при эффузионном истечении пара значение J в выражении (2) завышено, - коэффициент 1.82. Кроме того, должно быть учтено взаимодействие потока со скиммером. Однотемпературные источники.

Рис. 1. Источник для напыления тонких пленок ионизированными частицами [36].

Такаги Т. с соавторами [29,30] описал источник ионизированного кластерного пучка, предназначенный для получения покрытий и выращивания полупроводниковых и металлических пленок. Авторы предложили повысить давление пара вещества в тигле испарителя до такого значения, при котором течение пара через сопло происходит либо в переходном режиме, либо в режиме сплошности. Для этого использован традиционно применяемый тигель, но закрытый крышкой с отверстием, соплом. Вещество в тигле может нагреваться различными способами: тепловым излучением, электронным нагревом или электрическим током, проходящим через тигель.

На схеме обозначены: испаряемое вещество в тигле 1, сопло 2, термопара для измерения температуры тигля 3, источник нагрева 4, экраны 5. Над тиглем установлена электронная пушка для ионизации потока: корпус 6, катод 7, ускоряющая электроны сетка 8 и подложка 9 для осаждения нейтральных и ионизированных атомов или кластеров.
Данная схема источника в настоящее время распространена. Как правило, исследователи поддерживают давление пара вещества в тигле соответствующее свободномолекулярному течению пара через отверстие-сопло. При этом поток частиц однороден - в потоке преимущественно атомные частицы. При повышении температуры тигля давление паров увеличивается, начинается процесс кипения расплава, образуются микрокапли, которые захватываются паровым потоком и осаждаются на подложку. При высоких температурах нарушается и изотермичность тигля, необходимая для однородности фазового состава пара внутри источника. Область тигля, обращенная к подложке, как правило, не защищена от потери теплоты излучением. Она охлаждается, на внутренней поверхности пар конденсируется и тонкие пленки расплава распыляются паровым потоком на кромке сопла. Исследованию порового потока было уделено особое внимание и экспериментально показано, что при свободномолекулярном и переходном режимах течения пар не содержит кластеров [56,57]. Проведенные нами электронно-микроскопические исследования показали, что уже в переходном режиме течения пара через сопло, поток содержит микрокапли, которые ухудшают качество пленок.
Таким образом, данный источник характеризуется недостаточной воспроизводимостью свойств потока. Необходимо отметить, что с помощью таких источников, различными авторами получены высококачественные пленки многих веществ и их соединений[30]. Поэтому можно предположить, что недостаточная воспоизводимость свойств потока связана с отсутствием необходимой информации или с недостататочной изученностью источника. Возможно, что реально источник работает в условиях свободномолекулярного течения пара через сопло, а высокое качество пленок объясняется заряженными частицами в молекулярном потоке.

Рис. 2. Источник для напыления кластерами [27].

Эффект образования микрокапель или кластеров в результате переохлаждения пара перед расширением можно использовать с целью получения новых и интересных результатов. Ю. Зитен с соавторами описали [27] источник для ионно-кластерного напыления пленок полупроводников (CdTe), где использовано данное явление. На рис. 2 изображены: графитовый тигель 1 с закручивающейся крышкой 2 и с соплом диаметром 100 мкм; и нагреватель 3. Особенность источника в расположении тигля относительно нагревателя. Тигель установлен в печь таким образом, что испаряемый материал 4 расположен в центральной высокотемпературной его части, а сопло - в области меньшей температуры. Вещество в тигле нагревали с максимально возможной скоростью до температуры примерно 1573К , и после этого температуру стабилизировали с точностью в несколько градусов в течение напыления. В верхней части тигля перед соплом пар пересыщался, здесь зарождались кластеры, которые через сопло попадали на подложку. Однако электронно-микроскопическими исследованиями установлено, что на подложке присутствуют и микрокапли. Авторы считают, что крупные частицы образовались в результате их роста на поверхности. Проведенные нами аналогичные исследования убеждают в том, что существует и другой механизм - образование микрочастиц в результате кипения расплава в тигле. Такие частицы, как правило, имеют другую форму и структуру в сравнении с частицами выросшими на поверхности из атомных частиц. Как правило, микрочастицы нежелательны в потоке, но есть технологические операции где необходим поток микрокапель. Например, для получения толстых металлических покрытий.

Рис.3. Импульсные источники. Однокамерный - а; двухкамерный - б [35, 36].

Стремление создать экономичный источник паров веществ привело к появлению импульсных устройств, очевидным преимуществом которых является управление временем истечения пара из сопла, рис. 3, 4 [20,21,35,36]. При малых временах (доли секунды) удается получить однородный поток атомных частиц, но при длительном открытии отверстия (клапана) давление в испарителе резко уменьшается и в тигле происходит взрывное кипение. В этом случае нарушается с однородность потока и источник превращается в генератор капель, а иногда - двухфазного потока. В случае, если давление пара высоко и клапан резко открывается, происходит адиабатическое расширение насыщенного пара во всей камере источника. Возникшее пересыщение приводит к конденсации пара во всем его объеме. Капли растут в области до сопла и укрупняются при расширении в вакуум. Не просто получить поток моноатомного пара (газа) с помощью такого устройства. Основная проблема при создании такого источника - это трудность обеспечения механической прочности конструкции в условиях импульсных многократных нагрузок.

Рис. 4. Зависимость скорости напыления от давления насыщенного пара в камере импульсного источника. Висмут [35, 36].

Другая важная техническая проблема связана с созданием надежного клапана, работающего при высоких температурах и химической активности. В настоящее время импульсные источники успешно используются в экспериментальной ядерной физике и термоядерных исследованиях и можно ожидать решение многих проблем специалистами данных областей, прежде чем импульсные источники появятся в лабораториях занимающихся материаловедением (тонкими пленками) и это несмотря на то, что длительное время они разрабатывались для целей микроэлектроники [35, 36]. Хотя уже ясно, что использование однотемпературных схем не гарантирует высокого качества парового потока из-за несоответствия свойств пара в камере источника свойствам на выходе из сопла, тем не менее импульсные источники представляют интерес из-за возможности повысить производительность технологического процесса. Производительность можно увеличить и управлением геометрией паровой струи. Левченко Г.Т. с сотрудниками разработали испаритель, рис. 5, с помощью которого увеличили интенсивность, направленность и однородность потока [25]. Цель достигнута с помощью специального сопла, спрофилированного так, что выполняется условие прогрессирующего возрастания скорости течения пара вдоль сопла.

Рис. 5. Источник для напыления тонких пленок [25].

Испаритель включает в себя тигель 1 с выходным каналом - соплом 2, излучающий блок 3, в котором верхняя часть тигля центрируется ограничителями 4, а нижняя - на термопаре 5, изолированной от токоподвода 6 керамикой 7. Аналогичный источник с соплом Лаваля для исследования рентгеновских спектров паров редкоземельных элементов описан и Брытовым И.А. с соавторами [26]. Управление формой струи оказалось перспективным решением только при свободномолекуляром течении пара. При переходе к вязкостному режиму микрокапельная фаза по-прежнему присутствует в потоке.

Рис. 6. Источник вещества с пористой преградой [31].

Эффективным методом борьбы с микрокапельной фазой из источника является установление различного рода преград в тигле перед соплом с целью испарения капель в результате интенсификации теплообмена, рис. 6. В качестве преград используются либо специальные устройства, либо пористые материалы. Обычно они задерживают крупные (>10 мкм) частицы. Примером может служить способ [31] устранения выброса макрочастиц или микрокапель размером до 100 мкм, заключающийся в создании над испаряемым веществом фильтрующего слоя - пористой преграды из крупных частиц, гранул тугоплавкого вещества (например, графита), нагреваемого до температуры испаряемого вещества в тигле. Авторами получены тонкие слои Sb2S3 без макрородефектов при большей скорости напыления в сравнении с обычным методом. Однако, обратим внимание на низкую теплопроводность пористых сред. Испарение капель в центральной части фильтрующего слоя приводит к его охлаждению, он превращается в тигель с расплавом и смысл его использования исчезает. Кроме того, область сопла постоянно охлаждается из-за потери тепла излучением и недостаточным тепловым потоком от нагревателя к соплу. Такой источник хорошо использовать для твердых веществ, дробящихся при нагреве, но если в тигле расплав, следует изменить теплофизические условия. Мы исследовали данное явление и установили, что при повышении давления, в вязкостном режиме течения, мелкие частицы до 10 мкм все-таки увлекаются паром и движутся между элементами преграды. В результате микрочастицы попадают в область исследования. Прейсом Д. подробно описаны трудности получения однородного и стабильного атомного пучка меди для спектроскопических исследований, с которыми он столкнулся при использовании однотемпературной схемы [34]. Наш опыт работы с подобными источниками показывает, что улучшить характеристики устройства можно, если температуру пористой преграды увеличить относительно температуры расплава. Это возможно при использовании дополнительного нагревателя [37] в области сопла. В чем же причина широкой распространенности однотемпературных источников ? Простота изготовления - это, по-видимому, основная причина их использования в технологиях и научных исследованиях. Всегда ли это окупается ?

4. Двухтемпературные источники.

Мазис Р. с соавторами описал [40] источник закрытого (квазизамкнутого) типа, позволяющий получать паровой поток с незначительным количеством микрокапельной фазы, которая часто содержится в паре в результате кипения жидкого металла, особенно при больших скоростях напыления покрытий или тонких пленок, рис. 7. Вероятно, это один из самых простых вариантов двухтемпературного источника, в котором пар незначительно перегревается на выходе. Данный тип источника выпускается промышленностью, поэтому есть необходимость рассмотреть его подробнее. В процессе работы здесь реализуются различные теплофизические условия и соответственно - различные характеристики потока. В зависимости от опыта работы оператора источник может генерировать либо атомные частицы, либо поток частиц жидкого металла.

Рис. 7. Испаритель с незначительным перегревом пара [40].

Источник представляет собой "лодочку" 1 из тугоплавкого металла, плотно закрытую крышкой 2. С обоих концов устройства на токопроводящей ленте имеются выемки 3 для обеспечения местного перегрева и ограничения выброса металла 4, находящегося внутри источника. В крышке предусмотрено круглое отверстие 5, через которое выходит пар металла. Перегородка 6, разделяющая испаритель, образует две камеры: тигель с испаряемым веществом и камеру сопла, в которой установлена преграда 7 для дробления крупных капель. Сопло 5 находится в области большей температуры, поэтому пар перегревается; он движется по сложному, искривленному пути, что способствует сепарации капель. Характерной особенностью этого источника является незначительный перегрев пара вещества в области сопла. При плавлении металла в "лодочке" электрическое сопротивление токопроводящего элемента резко уменьшается. Хорошо известно, что в момент разрушения окисной пленки металл растекается, смачивает материал испарителя, и процесс ввода мощности становится трудно управляемым. Контроль параметров работы такого источника сложен (проще сказать - невозможен), а поэтому вопрос о стабильности парового потока и воспроизводимости результатов напыления остается открытым. Конечно, предпочтительней использовать данный источник в сравнении с подобными испарителями открытого типа, когда качество напыляемых пленок зависит только от искусства оператора, а воспроизводимость остается мечтой. Но данная схема только частично решает проблему увеличения скорости напыления и чистоты потока. Приходится увеличивать расстояние испаритель - подложка, чтобы уменьшить количество капель в пленке и постоянно контролировать интенсивность потока с помощью датчиков. Тем не менее авторы сообщили, что ими получены пленки с малой плотностью макродефектов при скорости напыления 12.5 нм/с на расстоянии 100 мм от источника.

Рис. 8. Высокотемпературный источник пара меди [41].

Ранее Kelly A. предложил [41] схему источника паров для газодинамического ускорения атомов меди гелием в экспериментах по исследованию неупругих соударений атомов, однако данное устройство может быть использовано и для напыления, рис. 8. Его особенность в возможности непрерывной подачи испаряемого металла (проволоки) в прогреваемую до 2750 К трубку, что обеспечивает многочасовую (до10 часов) работу при высокой до 1018 атом/сек интенсивности парового потока. В этом источнике достигается большой перегрев dТ~=1500 K пара, и при малых расходах вещества и больших перегревах поток состоит из атомных частиц.

Рис. 9. Распределение температуры рениевой трубки в зависимости от силы тока. D=1.27мм, d=0.76мм, L=50.8мм [41].

Однако, данный источник может генерировать большое количество микрокапель микронного размера ввиду взрывного кипения металла в горячей области трубки, если металл поступает в зону испарения с большой скоростью. Газ увлекает микрочастицы и через сопло выносит их в объем вакуумной установки. Одна из причин - растворенный в металле газ. Мы исследовали плавление медной проволоки в высокотемпературной части элекроннолучевого испарителя и наблюдали бурное кипение газа растворенного в металле. Известно, что алюминий, специально приготовленный для работы в полупроводниковой технологии, также содержит газ, вскипающий при плавлении. Эти проблемы могут быть частично устранены, если использовать металл специальной вакуумной плавки. Тем не менее результаты показывают, что устройство имеет хорошие данные по интенсивности пучка, а температурная характеристика его конструкции, рис. 9, имеет перспективу создания надежного источника атомного пучка. Для напыления тонких пленок и определения механизма зарождения кластеров в потоке пара, расширяющегося в вакуум, Вейлем Р. и соавторами [49] разработан источник с независимыми нагревателями, рис. 10. Температуру тигля и сопла 2 контролировали. Тигель нагревался электронной бомбардировкой от источника 3 до Т=2500К. Температуру сопла можно изменять нагревом от источника электронов 4 на +100К относительно тигля. Скорость напыления меди на расстоянии 300 мм от сопла примерно 1нм/с. Подобная схема источника использована и в работе [50]. Особенность заключается в электронном нагреве сопла, но облучение пара заряженными частицами может влиять на зарождение кластеров в потоке.

Рис. 10. Источник для напыления ионизированными частицами [49].

Во многих двухтемпературных источниках нагрев сопла используется в основном для предотвращения конденсации на его стенках и забивания жидким металлом. В действительности же простой нагрев сопла не препятствует проникновению микрочастиц в поток пара, если не предпринять специальные меры. Как показали наши электронно-микроскопические исследования, труднее всего бороться с частицами размером менее десяти микрон. Для их испарения необходимо обеспечить эффективный теплообмен с нагреваемой поверхностью.

Рис. 11. Источник пара металла с термостатированными тиглем и перегревателем пара [54].

Нами разработан источник со специальным перегревателем пара. В результате поток микрочастиц уменьшен на несколько порядков по сравнению с известными источниками при тех же параметрах истечения. На рис. 11 изображена схема источника, где обозначено: 1 - перегреватель пара, 2 - сопло для выхода парового потока, 3 - тигель с испаряемым металлом, 4 - нагревательные элементы, 5 - тепловые экраны, 6 - вольфрамовая игла для установки тигля, t1-t5 - термопары. Подробно источник описан в работе [54].
В данном устройстве перегреватель пара удален от тигля с расплавом и соединяется с ним каналом-паропроводом, выполненным в виде тонкостенной трубки с высоким тепловым сопротивлением. Тигель, паропровод и перегреватель пара термостатированы. Разность температур в различных точках тигля и перегревателя не превышает единиц градусов при температуре 1000 K. Внутри перегревателя установлена преграда для частиц жидкого металла таким образом, что частицы движутся по окружности и хорошо контактируют с нагретыми поверхностями под действием центробежной силы. В результате частицы эффективно испаряются . Исследование поверхностей металлических пленок Mg, Pb, Ag с помощью электронной микроскопии показало, что количество частиц в потоке микронного размера на порядок уменьшается при температуре перегревателя на 100-200 К выше температуры тигля. При большей температуре перегревателя частицы в потоке практически отсутствуют. На рис. 12 представлены результаты масс-спектрометрических исследований струи пара магния из такого источника. Температура перегревателя 1350 К, температура тигля изменялась от 300 до 1350 К. Установлено, что при давления пара в тигле менее 104 Pa в потоке присутствуют только атомные частицы, а при давлении более 104 в паре зарождаются димеры магния Mg2. При давлении, близком к атмосферному начинается активное образование кластеров. Таким образом, использование источников с перегревом пара позволяет не только исключить микрочастицы, но и управлять молекулярным (фазовым) составом потока.

Рис. 12. Зависимость плотности атомов (1), димеров (2) и кластеров (3) от давления пара магния в источнике [54].

Сочетание двухтемпературной схемы с импульсным режимом работы дает оптимальный вариант схемы источника паров металлов. Разработанный Дудниковым В.Г. с соавторами [39] источник предназначен для преобразования атомов водорода в отрицательные ионы в плазменных экспериментах , рис. 13, но схема источника может быть использована и в технологии тонких пленок. На основании 1 расположен электромагнит 2 и корпус клапана 3. В контейнере 4 находится спрессованная смесь Cs2Co4+Ti, нагреваемая термоэлементами 5. Термопары 6 установлены на перегревателе пара и в тигле. Особенность источника в том, что при нагреве из смеси выделяется атомарный цезий, т. е. процессы, связанные с жидким металлом в тигле, практически отсутствуют. Отношение потоков Сs при открытом и закрытом клапане больше или равно 103.

Рис. 13. Импульсный источник пара цезия с прогреваемым соплом [39].

Такие импульсные источники на наш взгляд более предпочтительны, чем источники непрерывного действия, где потери вещества в паузах между экспериментами велики. Кроме того, снижена вероятность образования ультрадисперсных частиц - золя, а перегрев пара позволяет управлять и концентрацией атомов струи в области исследования. Этот тип устройств имеет отличную технологическую нишу при работе с вредными для здоровья человека веществами, обеспечивая экологически чистую среду, а также - с дорогостоящими веществами, когда необходимо сократить их бесполезный расход. В дополнение к этому они позволяют легко автоматизировать процесс.

Заключение

Анализ типов источников паров веществ ( металлов) показал, что они применяются в различных областях экспериментальной физики, химии и технологии. Их сопоставление обнаруживает общность цели, касающейся, прежде всего, свойств парового потока: пространственной однородности, постоянства интенсивности и возможности управления потоком. Цель достигается при использовании источников с автономным перегревателем пара. При этом необходимо термостатировать как тигель с расплавом так и область сопла. Более подробно источники описаны в работе [58].

Литература

1. K. F. Smith, Molecular beams, Fizmatgiz, Moscow, p. 160, 1959, (in Russian).
2. N. Ramzay, Molecular beams, Inostr. Lit., Moscow, p. 273, 1960, (in Russian).
3. L. N. Gorokhov, "Double effusion cells for the evaporation of inorganic materials", Vestnik MGU. Ser.: Mat., Mekh., Fiz., Astron, N6, p. 231, 1958, (in Russian).
4. L. N. Sidorov, M. V. Korobov, L. V. Zhuravleva, Mass-spectrometric thermodynamic investigations, MGU, Moscow, 1985, (in Russian).
5. A. N. Nesmeyanov, Vapor pressure of the chemical elements, Elsevier Publishing Company, New York, 1963.
6. L. Dunoyer, Le Radium, V. 8, p. 42, 1911.
7. K. G. Wagner, "A brief review of Knudsen-cells for applications in experimental research", Vacuum, V. 34, N 8/9, p. 746, 1984.
8. M. A. Herman, H. Sitter, Molecular beam epitaxy, Springer-Verlag, Berlin, 382 p, 1989. 9. Molecular beams. Advance in chemical physics, Ed. by J. Ross, Interscience Publishers, New York - London - Sidney, V. 10, p. 439, 1966.
10. J. B. Anderson, "Molecular beams from nozzle sources". In: Molecular beams and low density gasdynamics. New York, p. 91, 1974.
11. V. I. Butusov, P. A. Mukhin, V. S. Svishev, "The neutralizer of high-power ion beams", Zhurn. Tekhn. Fiz., V. 37, N 10, p. 1818, 1967, (in Russian).
12. B. A. Dyatchkov, V. I. Zinenko, "Recharging of protons with the energy of 5-40 keV in thick flows of lithium, sodium, magnesium, zink vapor", Atomnaya Energiya, N 1, p. 18, 1968, (in Russian).
13 B. A. Dyatchkov, "Obtaining of high-energy neutrals by the transformation of the ions H-, H2+, H3+ in supersonic lithium jet", Zhurn. Tekhn. Fiz., V. 38, N 8, p. 1259, 1968, (in Russian).
14. B. A. Dyachkov, S. M. Krivoruchko, V. Yu. Petrusha, "The study of carrying lithium out of supersonic lithium vapor flow", Zhurn.Tekhn.Fiz., V. 39, N 5, p. 918, 1969, (in Russian).
15. V. G. Sokolov, I. Ya. Timoshin, "Pulse magnesium-vapor recharge-blocking target for high-power injectors of hydrogen atoms", Zhurn.Tekhn. Fiz., V. 52, N 2, p. 283, 1982, (in Russian).
16. V. G. Sokolov, M. V. Tauber, I. Ya. Timoshin, "Magnesium vapor target of the set-up "Ambal"", Preprint INF N 84-92, Novosibirsk, 1984, (in Russian).
17. E. W. Becker, K. Bier, W. Henkes, "Geschwindigkeitsanalyse von Laval-Strahlen", Ztschr. Phys., V.146, N 3, p. 320, 1956.
18. E. W. Becker, "Production and applications of cluster beams", Laser and particle beams, V. 7, part 4, p. 743, 1989.
19. М.Л. Александров, Ю.С. Куснер. Газодинамические молекулярные, ионные и кластированные пучки //Ленинград, Наука, 1989. С. 270.
20. V. G. Novikov, V. P. Sarantzev, Ter-Martirosyan, B. A. Shestakov, "Gas dynamics, effusive and plasma sources of atoms for applications in loading of ions in electronic rings in CA", Proceedings of the Meeting on the problems of collective acceleration method. UINR, D-82-664, p. 23, 1982, (in Russian).
21. B. A. Shestakov, "Design and investigation of pulse sources of atoms for application in collective accelerator of heavy particles", Autoref. thesis Cand. tech. Sc., Moscow, p. 16, 1984, (in Russian).
22. S. B. Zagrebin, A. V. Samson, "The study of ionization processes during optical excitation of metal atomic beam", Pis'ma v Zhurn. Tekhn. Fiz., V. 10, N 2, p. 114, 1984, (in Russian). 23.B.H. Wolf. "High current metal ion production (ivited). Rev. Sci. Instrum.65 (4), p.1248. 1995.
24.М.Н. Ивановский, В.П. Сорокин, В.И. Субботин. Испарение и конденсация металлов. М.: Атомиздат. 1976. С.216.
25. G. T. Levtchenko, A. A. Tyshko, Patent USSR 397567, MKI C23C13/12 Evaporator for vacuum set-up, (USSR) - N 1617708/22-1; Appl. 01.11. 1979; 6 publ. 17.09.1973. Otkrytiya. Izobreteniya, N 37, 1973, (in Russian).
26. I. A. Brytov, L. E. Mstibovskaya, L. G. Rabinovich, "The method of investigating metal vapor spectra ", Izv. Akad. Nauk Ser. Fiz., V. 40, N 2, p. 303, 1976, (in Russian).
27. J. B. Theeten, R. Madar, A. Mircea-Roussel, et al., "Cd-Te layer deposition using ionized cluster beam technique", J. Cryst. Growth, V. 37, p. 317, 1977.
28. J. Gspann, "Large cluster of cesium from pure vapor expansions", Z.Phys. D.Atoms, Molecules and Clusters. V. 20, p. 421, 1991.
29.T. Takagi, I. Yamada, M. Kunori, S. Kobiyama, Proc. 2 Intern. Conf. on Ion Sources, Osterreichische Studiengesellshaft fur Atomenergie, Vienna, p. 790, 1972.
30. T. Takagi, Ionized-cluster beam deposition and epitaxy, Noyes Publications, New Jersey, 1988.
31. D. V. Belyshkin, Yu. P. Kuznetzov, A. F. Perveyev, "The preparation of defect-free thin films by evaporation in vacuum", Pribory i tekhnika eksperimenta, N 2, p. 229, 1968, (in Russian).
32. P. J. Foster, R. E. Leckenby, E. J. Robbins, "The ionization potential of clustered alkali metal atoms", J. Phys. B. Atomic and Molecular Physics, V. 2, N 4-6, p. 478, 1969.
33. E. Verdasco, V. S. Rabanos, T. Contreras, A. G. Urena, "Metastable atom source for low vapor (alkaline earth) metals / Abstr.", 12 Intern. Symp. on Molecular beams, Italy, p. 72, May 1989.
34. D. R. Preuss, S. A. Pace, J. L. Gole, "The supersonic expansion of pure copper vapor", J. Chem. Phys., V. 71, N 9, p. 3359, 1979.
35. E. I. Cherepov, "Design and investigation of locked thermal discrete heaters for automated vacuum spray-coating with films", Institute of Mathematics, Siberian Branch AS USSR, Novosibirsk, p. 137, 1968, (in Russian).
36. I. Lisker, E. I. Cherepov, V. M. Zagoruiko, "The device for thermal spray-coating with films," Patent USSR N 201484. / Publ. 08.09.67, Otkrytiya. Izobreteniya. Bull. N 18, 1967, (in Russian).
37. A. S. Zolkin, Yu. G. Shukhov, "Clusters of magnesium from pure vapor expansions", Preprint 263/1992. Inst. of Thermophysics, Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia, (in English).
38. A. Athanasion, O. F. Hagena, "Cesium vapor jettarget produced with a supersonic nozzle. Rarefied Gas Dynamics", Proc. Intern. Symp. on Rarefied Gas Dynamics. Plenum Press, New York, 1985; Novosibirsk. R.S.F.S.R., p. 777, 1982.
39. V. G. Dudnikov, V. P. Efimov, G. I. Feksal', "Pulse cesium target for the analyzer of recharging atoms", Pribory i Tekhnika Eksperimenta, N 6, p. 138, 1983, (in Russian).
40. R. D. Mathis, E. Oslon, A. Richardt, "Evaporation de metaux a partir d'une source converte", Vide, V. 30, N 177-178, p. 153, 1975.
41. A. J. Kelly, D. Santavicca, "High intensity copper atom beam-preliminary results", Rev. Sci. Instrum., V. 44, N 12, p. 1734, 1973.
42A. A. Ivanov, "High temperature cells for the evaporation of difficultly volatile compounds", Pribory i Tekhnika eksperimenta, N 2, p. 237, 1974, (in Russian).
43. Pat. N 1483966. Specification. England, published 24 Aug. 1977.
44. F. R. Jake, D. Saxon, G. D. Stein, "Electron diffraction study of clustered beams obtained with the help of the nozzle", In: Mechanics. Dynamics of rarefied gases, Mir, Moscow, N 6, p. 314, 1976, (in Russian).
45. A. Herrmann, E. Schumacher, L. Woste, "Preparation and photoionization potential of molecules of sodium, potassium and mixed atoms", J. Chem. Phys., V. 65, N 5, p. 2327, 1978.
46. E. Schumacher, M. Kappes, K. Marti, P. Radi, M. Schar, B. Schmidhalter, "Metal-clusters: Preparation, Properties, Theory", Ber. Bunsenges. Phys. Chem., V. 88, p. 220, 1984. 47. Y. Saito, K. Mihama, T. Moda, "Formation of lead clusters in supersonic nozzle expansion: Effect of Nozzle Geometry", J. Appl. Phys., V. 22, p. L715, 1983.
48. Y. Saito, "Production of metal clusters by nozzle beam expansion and analysis by TOF mass-spectrometry", Microclusters. Proc. 1 NEC Symp., Hakone and Kawasaki, Japan, Oct. 20-23, p. 121, 1986,
49. R. Weiel, M. Rub, T. Tschudi, K. H. Niederwals, "ICB source design recommendations developed by numerical calculations of the potential inside the source", Proc. 13th Symp. on Ion Sources and Ion-Acc. Techn., Ion Eng. Soc. of Japan, June 1990.
50. M. Sosnovski, S. Krommenhoek, J. Sheen, R. Cornely, "Study of the properties of Ga beam from the nozzle source", J. Vac. Sci. Technol. A. V. 8, N 3, p. 1458, 1990.
51. A. I. Krylov, "Design and investigation of vapor flow sodium target to obtain intensive beam of negatively charged hydrogen ions", Autoref. Thesis Cand. Phys. Math. Sci., Kurchatov IAE., Moscow, 1990, (in Russian).
52. A. I. Krylov, V. V. Kuznetzov, "Supersonic vapor jet as vacuum lock", Preprint Kurchatov IAE N 3330/7. Moscow, 1980, (in Russian).
53. B. A. Dyatchkov, V. M. Nesterenko, V. Yu. Petrusha, "Lithium neutralizer of ions", Pribory i Tekhnika Eksperimenta, N 2, p. 35, 1974, (in Russian).
54. A.S. Zolkin, "Peculiarities in construction of vapor-source of substances, used for ionic-cluster deposition of films". Tekhnika sredstv svyazy, ( Technology and equipment ) N1-2, p.96, 1992 (Rus.).
55. O.F. Hagena, "Cluster Ion Sources". Invited paper presented at the ICIS'91: 4th Intern.Conf. Ion Sources, Sept.30 to Oct. 4, 1991, Bensheim, Germany.
56. W. Knauer, "Formation of large metal clusters by surface nucleation". J. Appl. Phys. 1987. v.62, ©3, p.841.
57. W. L. Brown, M. F. Jarrold, R. L. McEachern, "Ion cluster beam deposition of thin films", Nucl. Instrum. Method Sect. B.Phus. Res., V. 59(60), p. 182, 1991.
58. А.С.Золкин. Источники паров металлов для научных исследований и технологий. Новосибирск// РАН Сибирское отделение. Институт теплофизики, 1992. С.75.
59.L.V. Hau, J.A. Golovchenko, M.M.Burns."A new atomic beam source: candlestick", Rev. Sci. Instrum. 65 (12), p. 3746, 1994.