Содержание. | |
| ЧАСТЬ I. ТЕОРИЯ РОСТА РЕАЛЬНОГО КРИСТАЛЛА. | 2 |
| А. Движение ступеней на кристаллической поверхности. | 2 |
| §1. Движение ступеней на кристаллической поверхности. | 3 |
| §2. Подвижность адсорбированных молекул на кристаллической поверхности. | 4 |
| §3. Концентрация изломов на ступени. | 5 |
| §4. Скорость перемещения ступени. | 6 |
| §5. Ряд параллельных ступеней. | 10 |
| §6. Скорость перемещения ступеней, имеющих замкнутую форму и малую длину. | 10 |
| Б. Скорость роста кристаллической поверхности. | 12 |
| §7. Введение. | 12 |
| §8. Пирамида роста, обусловленная единичной дислокацией. | 13 |
| §9. Пирамиды роста, образованные на группах дислокаций. | 15 |
| а) Топологическое рассмотрение. | 15 |
| б) Общий случай. | 17 |
| §10. Скорость роста кристалла из паров. | 18 |
| §11. Сравнение с экспериментом. | 20 |
| §12. Рост из раствора. | 22 |
| ЧАСТЬ II. РАВНОВЕСНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ. | 24 |
| В. Ступени и двумерные зародыши. | 24 |
| §13. Введение. | 24 |
| §14. Равновесная структура ступени. | 26 |
| а) Равновесная структура прямолинейной ступени. | 27 |
| б) Свободная энергия ступеней. | 29 |
| §15. Двумерные зародыши; энергия активации для образования зародышей. | 30 |
| а) Форма равновесного зародыша. | 30 |
| б) Энергия активации для образования двумерных зародышей. | 32 |
| Г. Структура кристаллической поверхности как явление коллективного взаимодействия. | 32 |
| §17. Введение. | 32 |
| §18. Коллективное взаимодействие в кристаллических решетках. | 33 |
| §19. Модель поверхности кристалла с двумя уровнями. | 34 |
| §20. Модель со многими уровнями; апроксимация Бете. | 37 |
| а) Задача с двумя уровнями. | 39 |
| б) Задача с тремя уровнями. | 39 |
| в) Задача со многими уровнями. | 40 |
Назад