Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

Параметры зонной структуры для AlP

ПараметрОбозначениеЗначение
Постоянная решёткиa1c (nm)0.54672+0.292•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долинеEgГ (eV)3.36
Варшни параметр a(Г)a(Г) (meV/K)0.5771
Варшни параметр b(Г)b(Г) (K)372
Ширина запрещённой зоны в X-долинеEgX (eV)2.52
Варшни параметр a(X)a(X) (meV/K)0.318
Варшни параметр b(X)b(X) (K)588
Ширина запрещённой зоны в L-долинеEgL (eV)3.57
Варшни параметр a(L)a(L) (meV/K)0.318
Варшни параметр b(L)b(L) (K)588
Спин-орбитальное ращеплениеDso0.07
Эффективная масса электрона в Г-долинеme*(Г)0.22
Продольная эффективная масса
электрона в X-долине
ml*(X)2.68
Поперечная эффективная масса
электрона в X-долине
mt*(X)0.155
Латтинджера параметрыg13.35
g20.71
g31.23
Упругие константыc11(GPa)1330
c12(GPa)630
c44(GPa)615