Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

Параметры зонной структуры для InAs

ПараметрОбозначениеЗначение
Постоянная решёткиa1c (nm)0.60583+0.274•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долинеEgГ (eV)0.417
Варшни параметр a(Г)a(Г) (meV/K)0.276
Варшни параметр b(Г)b(Г) (K)93
Ширина запрещённой зоны в X-долинеEgX (eV)1.433
Варшни параметр a(X)a(X) (meV/K)0.276
Варшни параметр b(X)b(X) (K)93
Ширина запрещённой зоны в L-долинеEgL (eV)1.133
Варшни параметр a(L)a(L) (meV/K)0.276
Варшни параметр b(L)b(L) (K)93
Спин-орбитальное ращеплениеDso0.39
Эффективная масса электрона в Г-долинеme*(Г)0.026
Продольная эффективная масса
электрона в L-долине
ml*(L)0.64
Поперечная эффективная масса
электрона в L-долине
mt*(L)0.05
Продольная эффективная масса
электрона в X-долине
ml*(X)1.13
Поперечная эффективная масса
электрона в X-долине
mt*(X)0.16
Латтинджера параметрыg120.0
g28.5
g39.2
Упругие константыc11(GPa)832.9
c12(GPa)452.6
c44(GPa)395.9