| вопрос | ответ |
| 1.Почему Вы выбрали эту кафедру? | Почти все современные новые высокие технологии непосредственно связаны с полупроводниковыми технологиями. Поэтому разработка полупроводниковых приборов на новых физических принципах не только очень интересна, но и перспективна. |
| 2.Расскажите о своей специализации, пожалуйста. | Я специализируюсь в области молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников кремния и германия. Кремний - самый распространенный материал в полупроводниковой промышленности. Поэтому исследование процессов происходящих на поверхности во время роста полупроводников является важной задачей т.к. зная механизмы и закономерности этого роста можно создавать структуры с принципиально новыми свойствами. |
| 3.Какие спецкурсы на кафедре наиболее интересные для Вас? | Спецкурс "Кристаллофизика полупроводников" читаемый лучшим преподавателем кафедры - доц. Чикичевым С.И. и спецкурс "Оптические процессы в полупроводниках" читаемый доц. Альперовичем В.Л. |
| 4.Расскажите о международном сотрудничестве вашей лаборатории. | Почти все лаборатории института сотрудничают с коллегами из дальнего зарубежья - Германия, Франция, США, Япония, Китай и др. Поэтому студенты лаборатории могут съездить на конференцию туда или после окончания университета поступить в аспирантуру к уже знакомому профессору, а наши аспиранты пройти практику за рубежом. |
| 5.Приведите примеры интересных нерешенных задач в Вашей области. | Создание структур проявляющих квантовые свойства при комнатной температуре. |
| 6.Где можно работать после учeбы на кафедре, используя полученные знания? | В институте полупроводников, в конструкторских бюро, кроме этого на заводах развитых стран связанных с полупроводниковыми технологиями. |
| 7.Какое примерное название Вашей дипломной работы. | Исследование формирования островков Ge на поверхности Si(001) |
| 8.Назовите самые перспективные направления в Вашей науке сегодня. | Приборы ночного видения, приемники инфракрасного излучения, квантовые эффекты в полупроводниковых структурах при комнатной температуре. |
| 9.Дайте, пожалуйста, WWW - адреса научных конференций, последних новостей по научному направлению вашей лаборатории. | http://www.elsevier.nl/homepage/ http://ijc-si.murota.riec.tohoku.ac.jp/ |
| 10.За время учебы на кафедре Вы, возможно, имеете публикации, выступления на конференциях. Покажите свои успехи, пожалуйста. Укажите научного руководителя. | Соавтор в публикациях: "Алмазоподобные гранулированные пленки на кремнии, полученные при горении ацетилена ": // материалы седьмого международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике", июль 1996г. г. Йошкарола. (Н.pук.- Золкин А.С.); "Синтез алмазных пленок пламенным методом. Влияние температуры поверхности" // материалы восьмого международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике", апрель 1997г. г. Харьков. (Н.pук.- Золкин А.С.); "Synthesis of the diamond crystal from oxyacetylene flame on the metal substrate at low temperature" // "Carbon" (США). 1998 v36 n5-6 pp.581-585. (Н.pук.- Золкин А.С.); A.I.Nikiforov, V.A.Markov, V.A.Cherepanov, O.P.Pchelyakov "The influence of growth temperature on the period of RHEER oscillations during MBE of Si and Ge on Si(111) surface" // "Thin Solid Films" 336(1998) 183-187 (Н.pук.- Никифоров А.И.); Доклады на конференциях: "Алмазные кристаллы, синтезированные на молибденовой подложке при низкой температуре в процессе горения ацетилена" : на третьем международном совещании "Генераторы термической плазмы и технологии" состоявшемся 25-29 августа в г.Новосибирске (Н.pук.- Золкин А.С.); "Синтез алмазных пленокри взаимодействии низкотемпературной плазмы с поверхностью молибдена": на конференции "Физика плазмы и плазменные технологии " 15-19 сентября 1997г. в г. Минске (Беларусь). (Н.pук.- Золкин А.С.) "Синтез алмазных пленок пламенным методом. Влияние температуры поверхности>: на международной конференции "Высокие технологии в промышленности России",18-19 ноября 1997г. в г.Москве. (Н.pук.- Золкин А.С); "Synthesis of the diamond crystal from oxyacetylene flame on the metal substrate at low temperature" на международной конференции "International Conference on Advanced Materials" 16-20 июня 1997г. г. Стразбург (Франция). (Н.pук.- Золкин А.С); Доклад авторов A.I.Nikiforov, V.A.Markov, V.A.Cherepanov, and O.P.Phelyakov "The influence of growth temperature on the period of RHEER oscillations during MBE of Si and Ge on Si(111) surface" на международной конференции "E-MRS98 Spring Meeting" 16-19 июня 1998года в г. Стразбурге (Франция). (Н.pук.- Никифоров А.И.); Доклад автора В.А. Черепанова "Влияние температуры роста на толщину эпитаксиальной пленки, вырастающей за один период осцилляции зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов" представлен на международной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс" апрель 1998 г. Новосибирск. (Н.pук.- Никифоров А.И.); Доклад автро V.A.Markov, H.H.Cheng, Chih-ta Chia, A.I.Nikiforov, V.A.Cherepanov, O.P.Phelyakov,K.S.Zhuravlev, A.B.Talochkin, E.McGlynn and M.O.Henry "RHEED Studies of Nucleation of Ge Islands on Si(001) and optical propites of ultra-small Ge quantum dots" на International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si) September 13-17,1999(Japan) (Н.pук.- Никифоров А.И.) |
| 11.Поддерживает ли кафедра или лаборатория студентов материально. В чeм это выражается? | Кафедра на время учебы устраивает студентов на временную работу, поэтому студенты кафедры получают от нее материальную помощь. Если вы неплохо покажете себя в лаборатории то и лаборатория будет доплачивать. |
| 12.Кто Ваш научный руководитель сейчас? | к.ф.-м.н. Никифоров Александр Иванович |
| 13.Если у Вас есть WWW - страничка, мы можем еe посетить. | http://oberon.isp.nsc.ru/win/index.html |
| 14.Если Вы имеете свой E-mail адрес и если Вы не против дополнительных вопросов, оставьте его, и мы сможем задать Вам наш вопрос. | cher@isp.nsc.ru |
| 15.Укажите WWW-страничку вашей лаборатории, кафедры. | http://oberon.isp.nsc.ru/win/index.html |
|
Дaтa зaполнения (последней редaкции aнкеты):
| |
|
Вернуться в подрaздел "Кaфедрa Физики Полупроводников" |