|
Параметры зонной структуры бинарных полупроводниковых соединений AIIIBIV
|
|
Параметры соединений: AlAs, AlP, AlSb, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb.
|
|
Учебники по физике твёрдого теле в pdf формате.
|
Физика твердого тела. Том 1.(101.2 mb, pdf) Ашкрофт Н., Мермин Н. М.: Мир,1979
Физика твердого тела. Том 2.(72.5 mb, pdf) Ашкрофт Н., Мермин Н. М.: Мир,1979
Принципы теории твердого тела.(66.3 mb, pdf) Займан Джон М. М.: Мир,1974
Теория твердого тела.(78.1 mb, pdf) Давыдов А.С. М.: Наука,1976
Физика полупроводников.(87.3 mb, pdf) Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. М.: Наука,1990
Пакет символьных вычислений MAPLE V.(6.9 mb, pdf) Прохоров Г.В., Леденев М.А., Колбеев В.В.
|
|
Зонная структура электронного энергетического спектра в твердых телах. Модели свободных и сильно связанных электронов
|
|
Лекции по физике твёрдого тела Г.А. Миронова (Кафедра общей физики, Физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова) Физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова, 2001 г.
|
|
Lecture notes on Surfaces and Thin Films
|
|
These lecture notes by John A. Venables, originated in conjunction with lectures given at ASU in Spring 1996, and at EPFL in Fall 1997, and have been reused, and in many cases updated, since then. They have been used as a first draft of a graduate teaching text Introduction to Surface and Thin Film Processes which has been published in August 2000, and can be ordered now! This text is open to the web, in the sense that it may be updated from these pages, and incorporate your comments, questions and student projects. Some additional linked material is given in the Sussex QMMS course, which was presented in Fall 1999.
|
|
Физика поверхности полупроводников
|
|
Феноменологическое описание поверхности полупроводника. Поверхностные состояния. Свойства МДП-структур. Экспериментальные методы измерения вольтфарадных характеристик МДП-структур. Определение плотности ПС из ВФХ. Флуктуации поверхностного потенциала.
|
|
Основные элементы кинематической теории рассеяния рентгеновских лучей
|
|
Электронная версия ранее изданного учебного пособия (Д.Ю.Пущаровский, Г.В.Фетисов «Построение дифрактограмм поликристаллов по структурным данным», М., МГУ, 1991г.) и курса лекций, читаемых Д.Ю.Пущаровским для студентов кафедры кристаллографии и кристаллохимии Геологического факультета МГУ.
|
|
МЕХАНИЗМ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ НА ФОНОНАХ
|
|
Д.К. Палчаев, Х.С.Палчаева, Ж.Х. Мурлиева,Г.М.Амиров, А.К. Мурлиев, М.А.Абшинова. Дагестанский государственный университет, г. Махачкала.
|
|
Межатомное взаимодействие и электронная структура твердых тел
|
|
Ю.Х.Векилов (МИСИС). Опубликовано в Соросовском образовательном журнале, N 11, 1996 г.
|
|
Экситон Ванье-Мотта
|
|
Ванье-Мотта экситон - квазичастица, возникающая при бестоковых возбуждениях в полупроводниках, связанных с образованием пары электрон-дырка. Конкретизируя идею Я. И. Френкеля об экситонах - возбужденных состояниях электронной системы кристаллов, энергстические уровни которых располагаются ниже зоны проводимости (см. Френкеля экситон), Г. Ванье и Н. Мотт предположили, что экситон в кристаллическом полупроводнике можно рассматривать как пару квазичастиц - электрон проводимости и дырку, которые связаны кулоновским взаимодействием
|
|
Автоэлектронная эмиссия
|
|
Автоэлектронная эмиссия (полевая эмиссия, электростатическая эмиссия, туннельная эмиссия) - испускание электронов проводящими твердыми и жидкими телами под действием внешнего электрического поля E достаточно высокой напряженности.
|
|
МЕХАНИЗМЫ И МОДЕЛИ ЗАРЯДОВОЙ КОМПЕНСАЦИИ ПРИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНЫХ ЗАМЕЩЕНИЯХ В КРИСТАЛЛАХ
|
|
Основная особенность кристаллов - наличие кристаллической решетки, представляющей собой строгую трехмерную периодичность атомов химических элементов, определяющих химический состав. В действительности правильность такой решетки всегда бывает нарушена разнообразными дефектами, возникающими из-за влияния внешних полей (гравитационного, теплового, электрического), особенностей среды и условий образования и роста кристаллов. В качестве дефектов служат различные посторонние атомы, вакансии, радиационные электронные и дырочные центры, дислокации.
|
|
About Single-Electron Devices and Circuits
|
|
Quantization of charge in metallic or semiconducting structures in conventional electronic devices is usually not directly noticeable. However, when the smallest feature size is in the nano-meter regime, and the total capacitance becomes very small and the charging energy is larger than the thermal energy, the change in free energy associated with the addition or subtraction of a single electron to and from an island, or a quantum dot, becomes significant. Novel effects due to charge quantization have raised the prospect of a new electronic technology which needs new analysis tools. Therefore, this thesis deals with the simulation of such new electronic devices.
|
|
RECOMMENDED VALUES OF PHYSICAL CONSTANTS AND CONVERSION FACTORS.
|
|
The values are derived from the consistent set of constants which were produced by E.R. Cohen & B.N. Taylor (CODATA Bull. no. 63 (1986)) in collaboration with the CODATA Task Group on Fundamental Physical Constants and were subsequently recommended for general adoption by CODATA. This reference must be included when these constants are used in a context where their full accuracy is important. The number in parenthesis after each value is the estimated standard-deviation uncertainty of the last digit quoted.
|
|
Сборник задач по микроэлектронике
|
|
Сборник задач с решениями. 70 задач и справочные таблицы: свойства полупроводников при Т=300К, работа выхода из металлов, эВ, свойства диэлектриков.
|