Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

Параметры зонной структуры для AlSb

ПараметрОбозначениеЗначение
Постоянная решёткиa1c (nm)0.61355+0.260•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долинеEgГ (eV)2.386
Варшни параметр a(Г)a(Г) (meV/K)0.42
Варшни параметр b(Г)b(Г) (K)140
Ширина запрещённой зоны в X-долинеEgX (eV)1.696
Варшни параметр a(X)a(X) (meV/K)0.39
Варшни параметр b(X)b(X) (K)140
Ширина запрещённой зоны в L-долинеEgL (eV)2.329
Варшни параметр a(L)a(L) (meV/K)0.58
Варшни параметр b(L)b(L) (K)140
Спин-орбитальное ращеплениеDso0.676
Эффективная масса электрона в Г-долинеme*(Г)0.14
Продольная эффективная масса
электрона в L-долине
ml*(L)1.64
Поперечная эффективная масса
электрона в L-долине
mt*(L)0.23
Продольная эффективная масса
электрона в X-долине
ml*(X)1.357
Поперечная эффективная масса
электрона в X-долине
mt*(X)0.123
Латтинджера параметрыg15.18
g21.19
g31.97
Упругие константыc11(GPa)876.9
c12(GPa)434.1
c44(GPa)407.6