Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

Параметры зонной структуры для GaAs

ПараметрОбозначениеЗначение
Постоянная решёткиa1c (nm)0.565325+0.388•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долинеEgГ (eV)1.519
Варшни параметр a(Г)a(Г) (meV/K)0.5405
Варшни параметр b(Г)b(Г) (K)204
Ширина запрещённой зоны в X-долинеEgX (eV)1.981
Варшни параметр a(X)a(X) (meV/K)0.460
Варшни параметр b(X)b(X) (K)204
Ширина запрещённой зоны в L-долинеEgL (eV)1.815
Варшни параметр a(L)a(L) (meV/K)0.605
Варшни параметр b(L)b(L) (K)204
Спин-орбитальное ращеплениеDso0.341
Эффективная масса электрона в Г-долинеme*(Г)0.067
Продольная эффективная масса
электрона в L-долине
ml*(L)1.9
Поперечная эффективная масса
электрона в L-долине
mt*(L)0.0754
Продольная эффективная масса
электрона в X-долине
ml*(X)1.3
Поперечная эффективная масса
электрона в X-долине
mt*(X)0.23
Латтинджера параметрыg16.98
g22.06
g32.93
Упругие константыc11(GPa)1221
c12(GPa)566
c44(GPa)600