Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

---

Параметры зонной структуры для GaP

Параметр	Обозначение	Значение
Постоянная решётки	a1c (nm)	0.4505+0.292•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долине	EgГ (eV)	2.886+0.1081•[1–coth(164/T)]
Ширина запрещённой зоны в X-долине	EgX (eV)	2.35
Варшни параметр a(X)	a(X) (meV/K)	0.5771
Варшни параметр b(X)	b(X) (K)	372
Ширина запрещённой зоны в L-долине	EgL (eV)	2.72
Варшни параметр a(L)	a(L) (meV/K)	0.5771
Варшни параметр b(L)	b(L) (K)	372
Спин-орбитальное ращепление	Dso	0.08
Эффективная масса электрона в Г-долине	me*(Г)	0.13
Продольная эффективная масса электрона в L-долине	ml*(L)	2.0
Поперечная эффективная масса электрона в L-долине	mt*(L)	0.253
Продольная эффективная масса электрона в X-долине	ml*(X)	1.2
Поперечная эффективная масса электрона в X-долине	mt*(X)	0.15
Латтинджера параметры	g1	4.05
	g2	0.49
	g3	2.93
Упругие константы	c11(GPa)	1405
	c12(GPa)	620.3
	c44(GPa)	703.3

---