Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

Параметры зонной структуры для GaP

ПараметрОбозначениеЗначение
Постоянная решёткиa1c (nm)0.4505+0.292•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долинеEgГ (eV)2.886+0.1081•[1–coth(164/T)]
Ширина запрещённой зоны в X-долинеEgX (eV)2.35
Варшни параметр a(X)a(X) (meV/K)0.5771
Варшни параметр b(X)b(X) (K)372
Ширина запрещённой зоны в L-долинеEgL (eV)2.72
Варшни параметр a(L)a(L) (meV/K)0.5771
Варшни параметр b(L)b(L) (K)372
Спин-орбитальное ращеплениеDso0.08
Эффективная масса электрона в Г-долинеme*(Г)0.13
Продольная эффективная масса
электрона в L-долине
ml*(L)2.0
Поперечная эффективная масса
электрона в L-долине
mt*(L)0.253
Продольная эффективная масса
электрона в X-долине
ml*(X)1.2
Поперечная эффективная масса
электрона в X-долине
mt*(X)0.15
Латтинджера параметрыg14.05
g20.49
g32.93
Упругие константыc11(GPa)1405
c12(GPa)620.3
c44(GPa)703.3