Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

Параметры зонной структуры для GaSb

ПараметрОбозначениеЗначение
Постоянная решёткиa1c (nm)0.60959+0.472•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долинеEgГ (eV)0.812
Варшни параметр a(Г)a(Г) (meV/K)0.417
Варшни параметр b(Г)b(Г) (K)140
Ширина запрещённой зоны в X-долинеEgX (eV)1.141
Варшни параметр a(X)a(X) (meV/K)0.475
Варшни параметр b(X)b(X) (K)94
Ширина запрещённой зоны в L-долинеEgL (eV)0.875
Варшни параметр a(L)a(L) (meV/K)0.597
Варшни параметр b(L)b(L) (K)140
Спин-орбитальное ращеплениеDso0.76
Эффективная масса электрона в Г-долинеme*(Г)0.039
Продольная эффективная масса
электрона в L-долине
ml*(L)1.3
Поперечная эффективная масса
электрона в L-долине
mt*(L)0.10
Продольная эффективная масса
электрона в X-долине
ml*(X)1.51
Поперечная эффективная масса
электрона в X-долине
mt*(X)0.22
Латтинджера параметрыg113.4
g24.7
g36.0
Упругие константыc11(GPa)884.2
c12(GPa)402.6
c44(GPa)432.2