Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

Параметры зонной структуры для InP

ПараметрОбозначениеЗначение
Постоянная решёткиa1c (nm)0.58697+0.279•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долинеEgГ (eV)1.4236
Варшни параметр a(Г)a(Г) (meV/K)0.363
Варшни параметр b(Г)b(Г) (K)162
Ширина запрещённой зоны в X-долинеEgX (eV)2.384–3.7•10–4T
Ширина запрещённой зоны в L-долинеEgL (eV)2.014
Варшни параметр a(L)a(L) (meV/K)0.363
Варшни параметр b(L)b(L) (K)162
Спин-орбитальное ращеплениеDso0.108
Эффективная масса электрона в Г-долинеme*(Г)0.0795
Латтинджера параметрыg15.08
g21.60
g32.10
Упругие константыc11(GPa)1011
c12(GPa)561
c44(GPa)456