Журнал | Кафедра физики полупроводников
AlAs |  AlP |  AlSb |  GaAs |  GaP |  GaSb |  InAs |  InP |  InSb |  Физические константы

---

Параметры зонной структуры для InSb

Параметр	Обозначение	Значение
Постоянная решётки	a1c (nm)	0.64794+0.348•10–5(T–300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долине	EgГ (eV)	0.235
Варшни параметр a(Г)	a(Г) (meV/K)	0.32
Варшни параметр b(Г)	b(Г) (K)	170
Ширина запрещённой зоны в X-долине	EgX (eV)	0.63
Ширина запрещённой зоны в L-долине	EgL (eV)	0.93
Спин-орбитальное ращепление	Dso	0.81
Эффективная масса электрона в Г-долине	me*(Г)	0.0135
Латтинджера параметры	g1	34.8
	g2	15.5
	g3	16.5
Упругие константы	c11(GPa)	684.7
	c12(GPa)	373.5
	c44(GPa)	311.1

---