|
1
|
Лаборатория теоретической физики
|
|
Чаплик А. В.
|
|
Л.И.Магарилл, А.В.Чаплик, М.В.Энтин. Спиновый отклик двумерных электронов на латеральное электрическое поле.ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1128.
|
|
2
|
Эллипсометрия полупроводниковых материалов и структур
|
| |
Рыхлицкий С.В.
|
|
Назаров Н.И., Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В. Автоматический сканирующий микроэллипсометр. Автометрия 1997, ©1, стр.100.
Рыхлицкий С.В., Швец В.А. Метод эллипсометрии в науке и технике. Автометрия 1997, ©1, стр.5.
Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В. Эллипсометрия высокого пространственного разрешения. Автометрия 1997, ©1, стр.73.
|
|
Гр.2
|
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
|
| |
Яновицкая З.Ш.
|
|
Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. Моделирование процессов эпитаксии, сублимации и отжига в трехмерном приповерхностном слое кремния. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1067.
И.Г.Неизвестный, Н.Л.Шварц, З.Ш.Яновицкая. Определение размеров критического зародыша при Монте Карло моделировании эпитаксиального роста. IX национальная конференция по росту кристаллов.
|
|
3
|
Лаборатория физики и технологии гетероструктур
|
| |
Супрун С. П.
|
|
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Талочкин А. Б., Шумский В. Н., Ефанов А. В. Квантовые точки Ge в ненапряженной гетеросистеме GaAs / ZnSe / Ge / ZnSe. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1135.
|
|
4
|
Лаборатория разработки принципов построения и архитектуры вычислительных систем для обработки информационных массивов
|
| |
Хорошевский В. Г.
|
|
Подаков М.Н., Хорошевский В.Г. Поиск стохастически оптимального разбиения большемасштабных вычислительных систем на подсистемы. Автометрия 2000, ©2, стр. 52.
Власюк В.В., Хорошевский В.Г. Теоретико-игровой подход к организации стохастически оптимального функционирования распределенных вычислительных систем. Автометрия 2000, ©3, стр. 17.
|
|
5
|
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
|
| |
Репинский С. М.
|
|
Гутаковский А.К., Покровский Л.Д., Репинский С.М., Свешникова Л.Л. Исследование структуры нанокластеров сульфидов кадмия и свинца в матрице пленок Ленгмюра - Блоджетт. ЖСХ-1999, Т40 ©3 С. 589-592.
Репинский С.М. Процессы окисления полупроводников и строение границ раздела. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9 c.1050.
Белый В.И., Расторгуев А.А., Бадмаева И.А., Репинский С.М., Свешникова Л.Л. Фотолюминесценция системы мультимолекулярных слоёв бегенатов РЗЭ.
|
|
7
|
Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур
|
| |
Принц В. Я.
|
|
Воробьев А.Б., Гутаковский А.К., Принц В.Я., Селезнев В.А. Формирование однослойного массива наночастиц для просвечивающей электронной микроскопии. ЖТФ, 2000, том 70, выпуск 6 с. 116.
V.Ya.Prinz, V.A.Seleznev, A.K.Gutakovsky, A.V.Chehovskiy, V.V.Preobrazenskii, M.A.Putyato,.T.A.Gavrilova. Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays. Physica E, 2000, v. 6, N 1-4, pp. 828-831. alex@isp.nsc.ru
A.B. Vorob'ev, A.K. Gutakovsky, V.Ya. Prinz, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato. Interface corrugation in (311)A GaAs/AlAs superlattices. Appl.Phys.Lett., 2000, v. 77, N 19, pp. 2976-2978.alex@isp.nsc.ru
V.Ya.Prinz, D. Grutzmacher, A Beyer, C David, B Ketterer and E Deckardt. A new technique for fabricating three-dimensional micro- and nanostructures of various shapes. Nanotechnology 2001, v. 12, pp. 399-402.
S. V. Golod, V. Ya. Prinz, V. I. Mashanov and A. K. Gutakovsky. Fabrication of conducting GeSi/Si micro- and nanotubes and helical microcoils. Semicon. Sci. Technol., March 2001, N 3, v. 16, pp. 181-18
|
|
8
|
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
|
| |
Терехов А. С.
|
|
Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1102.
В.В. Бузук, С.А. Вергилес, А.В. Гусаченко, П.В. Журавлев, С.И. Лепин, Ю.Ф. Однолько, А.С. Терехов, С.М. Чурилов, П.И. Шапор, К.П. Шатунов. Бортовые и ручные низкоуровневые телевизионные системы. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
В.Э. Андреев, В.В. Бакин, А.А. Пахневич, С.Н. Косолобов, О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич,А.С. Терехов.Физические пределы параметров полупрозрачного GaAs-фотокатода для электронно-оптических преобразователей 3-го и 4-го поколений. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
В.Э. Андреев, В.В. Бакин, И.И. Гольдберг, В.И. Локтионов, П.В. Журавлев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов. Оптические и фотоэлектронные свойства высокоэффективных мультищелочных фотокатодов для ЭОП 2+-поколения. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
В.Э. Андреев, В.А. Бригинец, С.Н. Косолобов, А.Г. Паулиш, С.И. Шевелев, А.С. Терехов. Электронно-оптический преобразователь 4-го поколения с полупроводниковым прострельным динодом. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
|
|
9
|
Сектор нелинейной оптики микроструктур
|
| |
Горчаков А. В.
|
|
Белостоцкий А.Л., Горчаков А.В., Каплун А.Б., Мешалкин А.Б., Русов В.А., Сапожников В.К. Технология высококонтрастных электрооптических модуляторов на основе кристаллов KTiOPO4. Автометрия 1992, ©3, стр.81.
|
|
10
|
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
|
| |
Попов В. П.
|
|
Чернявский Е.В., Попов В.П., Пахмутов Ю.С., Красников Ю.И., Сафронов Л.Н. Переходные характеристики МОП тиристоров, облученных электронами. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1154.
|
|
13
|
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
|
| |
Овсюк В.Н.
|
|
Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Шашкин В.В. Матричные фотоприемники 128x 128 на основе слоев HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1159.
Овсюк В.Н., Талипов Н.Х., Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Ремесник В.Г., Протасов Д.Ю., Дворецкий С.А., Варавин B.C., Михайлов Н.Н. Низкотемпературная электрическая активация атомов бора, имплантированная в пленки МЛЭ HgCdTe p -ТИПА. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
Демьяненко М.А., Копп О.Р., Курышев Г.Л., Ли И.И., Овсюк В.Н., Половинкин В.Г., Савченко А.П., Субботин И.М., Торопов А.И., Шашкин В.В. Матричный ИК-фотоприемный модуль на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AIGaAs. Автометрия 1998,©4,стр.35.
|
|
14
|
Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники
|
| |
Курышев Г. Л.
|
|
Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П., Валишева Н.А. Электронные свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе InAs. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9 с. 1111.
|
|
15
|
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков
|
| |
Сидоров Ю. Г.
|
|
Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Сусликов А.0., Овсюк В.Н. Конструирование и выращивание фоточувствительных структур на основе МЛЭ КРТ для ИК-фотоприемников. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на <<альтернативных>> подложках. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9 c. 1092.
Варавин В.С., Кравченко А.Ф., Сидоров Ю.Г. Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n-CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9 с. 1036.
|
|
16
|
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5
|
| |
Пчеляков О. П.
|
|
Никифоров А.И., Черепанов В.А., Пчеляков О.П. Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si (100) методом регистрирующей дифрактометрии. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1032.
|
|
20
|
Лаборатория электронной микроскопии и субмикронных структур
|
| |
Латышев А.В.
|
|
Косолобов С.С., Асеев А.Л., Латышев А.В. In situ исследование взаимодействия кислорода с поверхностью кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1084.
|
|
21
|
Лаборатория поверхностных акустических волн
|
| |
Козлов А. И.
|
|
Васильев В.В., Есаев Д.Г., Захарьяш Т.И., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Талипов Н.Х.Фотоприемньй модуль 128х128 на основе слоев HgCdTe для среднего ИК диапазона. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
Демьяненко М.А., Марчишин И.В., А.Г. Клименко, Козлов А.И., Овсюк В.Н., Савченко А.П., Торопов А.И., Шашкин В.В. Матричные ИК фотоприемники на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
|
|
24
|
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
|
| |
Двуреченский А.В.
|
|
Двуреченский А.В., Якимов А.И. Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si. ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, с. 1143.
А.В.Двуреченский, А.П.Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.А.Рязанцев. Блокирование темновой проводимости в полупроводниках с одним типом проводимости. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
|
|
26
|
Лаборатория физико-химических основ технологии изготовления приборов на основе полупроводников A3B5
|
| |
Квон Д. Х.
|
|
А.А. Быков, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанский, А.Л. Асеев, М.Р. Бакланов, Л.В. Литвин, Ю.В. Настаушев, В.Г. Мансуров, В.П. Мигаль, С.П. Мощенко. Квазибаллистический квантовый интерферометр. Успехи физических наук, Том 165, 1995, выпуск 2.
З.Д.Квон , Е.Б.Ольшанецкий, М.И.Катков, А.Е.Плотников, М.Кассе, Ж.К.Портал, А.И.Торопов, Н.Т.Мошегов. Квантовый эффект Холла в одномодовой проволоке. ФТП, 1999, том 33, выпуск 11, с. 1369.
|
|
28
|
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников A2B6
|
| |
Васильев В. В.
|
|
Овсюк В.Н, Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Шашкин В.В. Матричные фотоприемники на основе слоев HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
|
|
37
|
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5
|
| |
Торопов А. И.
|
|
Nilo Mauricio Sotomayor Choque, G. M. Gusev, J. R. Leite, E. B. Olshanetsky, A. V. Plotnikov, N. T. Moshegov, A. I. Toropov. COMMENSURABILITY OSCILLATIONS IN ANTIDOT LATTICE IN QUASI 3-DIMENSIONAL ELECTRON GAS.
|
|
50
|
Сектор люминисценсного анализа полупроводниковых материалов и структур
|
| |
Журавлев К. С.
|
|
Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Вандышев Е.Н., Мисюк А., Янков Р.А., Реболе Л., Скорупа В. Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического давления. ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, с. 129.
Бакаров А.К., Журавлев К.С., Мякишев Ю.Б., Раков Ю.Н., Торопов А.И., Шамирзаев Т.С. Получение твердых растворов Аlx Ga1-x As и эпитаксиальных структур для мощных полевых СВЧ-транзисторов. Автометрия 2001, ©3, стр.89.
|