Курсовые работы, выполненные в Центре развития научно-технического творчества молодёжи Новосибирского государственного университета

Ванина ПолинаИсследование электрических характеристик аморфного кремния Дружбин ДмитрийФото-ЭДС плёнок GaAs/AlxGa1-xAs
Козлов ВладимирЛатеральное распределение толщин диэлектрических пленок Пересыпкин АлексейПолучение диоксида кремния и его электрофизические свойства
Симонов ТимофейРазработка датчика лазерного излучения на основе p-n перехода Темирбулатов ВалерийИсследование электрических характеристик аморфного кремния, легированного эрбием
Бажанова НинаОпределение оптических свойств и толщины тонкой пленки оксида кремния на кремнии Бацанов СтепанИзучение оптических свойств тонких плёнок a-Si на подложке SiO2
Карамамед-Оглы ЭтериПолучение пленки SiO2 и определение толщины в зависимости от цвета Минигулов НиколайИзучение распределения толщины слоя из оксидов Hf и Sr по поверхности образца
Неудахина ЕленаИзучение термического окисла кремния Буденный СеменРасчёт эллипсометрических амплитудно-фазовых характеристик слоистой оптической модели
Яковлев ФедорСпектры пропускания и отражения пленок ?-Si:H на полиамиде Егоров ДмитрийИсследование спектральной зависимости фото-ЭДС плёнок GaAs/AlxGa1-xAs
Садуакасова АяулымФормирование SiO2 слоев при термическом распылении SiO2 мишени Никифоров ДанилаИзмерение стехиометрического параметра кремниевых пластинок Si3N4 в зависимости от их получения
Серебрякова МаринаЭллипсометрия сверхрешеток со слоями в нанометровом диапазоне толщин Мик ИванИсследование оптических характеристик нестехиометрического нитрида кремния
Иванисенко НикитаОпределение объемных долей Si3N4 и Si3N4 в пленках SiNx, методом спектральной эллипсометрии Неклюдова МарияИсследование оптических характеристик углеводородных пленок методом эллипсометрии
Саинова АйгеримИсследование оптических свойств тонких пленок меди на стекле, методом спектроскопии пропускания и многоугловой эллипсометрии Сараев АндрейИсследование оптических характеристик углеводородных пленок на стеклянных подложках
Берёзин АлексейИсследование плазменного ионного источника с азимутальным дрейфом электронов Гусев КонстантинМоделирование магнетронно-распылительной системы для увеличения коэффициента использования мишени
Ефремов МихаилИсследование ионного тока генератора, основанного на автоэлектронной эмиссии Иванов АлександрИсследование магнитной системы цилиндрического типа
Малых НатальяМагнитная распылительная система (МРС) для синтеза серебряных нанопленок Митина НадеждаУстановка для синтеза наночастиц металлов. Влияние параметров атмосферы на характеристики источника паров металлов
Шмаков АлексейМоделирование полярной магнетронно-распылительной системы для увеличения поверхности распыления Оненко СергейИзмерение коэффициента поверхностного натяжения воды стробоскопическим методом
Регутов ЕвгенийАнализ ошибок измерения при исследовании ударных волн в газах Соколов РусланТеплопроводность твердых материалов
Сыроквашин МихаилИсследование колебательных спектров нанотрубок методом спектроскопии комбинационного рассеяния света Морозов НикитаИсследование колебательных спектров фуллеренов и нанотрубок методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
Митина НадеждаЗависимость влияния параметров атмосферы на характеристики источника паров металла Малых НатальяУстановка для синтеза наночастиц металлов. Исследование сорбционных свойств системы Cu - Ar, Cu - H2O, Cu - C2H5OH, Cu - воздух
Кохановский АлексейУстановка для синтеза наночастиц металлов. Исследование сорбционных свойств системы Cu - Ar, Cu - CO2, Cu - воздух Зеликман МаксимИсследование процесса распыления меди ионами аргона в магнетронной распылительной системе. Синтез и исследование нанопокрытий меди
Камкин МаксимУстановка для синтеза наночастиц металла. Исследование рассеяния атомов меди в атмосфере аргона Бекк ВадимУстановка для синтеза наночастиц металла. Образование конгломератов атомов в процессе рассеяния
Брязгин КонстантинИзучение нанопленок меди, напыленных в атмосфере аргона МРС при разных длинах свободного пробега атомов меди Гончикжапов МункоИзучение оптических свойств детонационных наноалмазов
Гусев КонстантинУстановка для синтеза наночастиц, исследование процесса распыления меди ионами аргона в магнетронно-распылительной системе Ефремов МихаилСоздание установки и исследование процесса седиментации частиц оксида алюминия в поле тяжести
Багулов ДенисИзучение зависимости ионного тока тлеющего разряда в аргоне и гелии от расстояния между коллектором ионов и катодом Дрясов АндрейИсследование влияния давления азота и гелия в разрядном промежутке на ионный ток тлеющего разряда
Константинов МаксимИсследование вольтамперной характеристики тлеющего разряда в зависимости от давлений азота и аргона Сныга СофьяИзучение потенциала зажигания тлеющего разряда в аргоне и воздухе при различных значениях давления
Сотников ОлегВыявление зависимости вольтамперной характеристики тлеющего разряда от давления азота и гелия Томилин ВладимирИзмерение напряжения пробоя и гашения тлеющего разряда в аргоне и гелии
Дандарова ЛюдмилаОсаждение углеродных пленок в плазме паров этанола на горячие подложки Добрецов ЕгорИсследование потока ионов в тлеющем разряде на аргоне и гелии в зависимости от давления рабочих газов
Дрясов АндрейОсаждение углеродных пленок в плазме паров этанола Константинов МаксимИсследование потока ионов в тлеющем разряде в зависимости от напряжения разряда
Сныга СофьяИсследование потока ионов в тлеющем разряде в зависимости от давления рабочих газов Сотников ОлегИсследование потока ионов в тлеющем разряде на аргоне и гелии в зависимости от напряжения разряда
Томилин ВладимирИсследование потока ионов в тлеющем разряде на аргоне и на парах этанола в зависимости от расстояния между сетчатым катодом и коллектором ионов Щеглов ЛеонидОсаждение углеродных пленок в плазме паров ацетона
Коробков АлексейЭкспериментальное исследование зависимости поверхностного натяжения дистиллированной воды от концентрации ПАВ при его малых добавках Панченко АнтонТеплопроводность твердых тел
Ворфоломеев КириллОпределение стехиометрического параметра пленок нитрида кремния Матхонова ЭрженаИсследование толщины пленки SiO2, полученной методом распыления

© 2010 Журнал «Физика и студенты»