Главная
Факультативы
Факультатив в гостях
«Воскресная школа»
Посещение лаборатории А. В. Латышева (ИФП СО РАН)

Студенты второго курса — гости Института физики полупроводников (ИФП СО РАН)

В пятницу 3 декабря 1999 группа студентов посетила лабораторию А. Латышева в ИФП СО РАН. Так начинается программа ознакомления студентов факультатива «Физика газового разряда и ионно-лучевые технологии» с институтом физики полупроводников СО РАН.

Трудно выбрать лабораторию первую для посещений студентами младшего курса. Многие лаборатории готовы пригласить студентов. Для молодых и интересующихся студентов первые впечатления самые сильные. Поэтому первое посещение останется надолго, тем более, если вас встречают и ждут, как самых дорогих друзей и возможно будущих коллег. Много лет назад (в 1980 г.) я обратился к Олегу Пчелякову и Александру Асееву в лабораторию электронной микроскопии за помощью и с вопросами по исследованию микрочастиц. Мне помогли и советом и делом. Позже, в 1995году эта лаборатория первая в ИФП помогала моим студентам исследовать алмазоподобные плёнки (Галина Тимофеева), которые мы синтезировали при выполнении курсовых работ. В этой лаборатории работают и учатся студенты (Дмитрий Щеглов и Владимир Савенко), которые успешно занимались на нашем факультативе. Они пригласили нас в гости. Теперь понятно, почему я предложил студентам посетить лабораторию электронной микроскопии первой. Нас встречают приветливо, как и много лет назад.

Кто шеф лаборатории?

Александр Васильевич Латышев, д.ф.-м.н. возглавляет лабораторию электронной микроскопии и субмикронных структур. Его научные интересы: изучение поведения атомных ступеней на поверхности кремния при сублимации, эпитаксии и фазовых переходах. Это интересная и актуальная задача.

Чем занимаются в лаборатории?
Основные направления исследований:
  1. Определение атомных механизмов формирования поверхностей, границ раздела и дефектов структуры в полупроводниковых материалах
  2. Создание и исследование структур пониженной размерности для микро- и наноэлектроники.
  3. Изучение дефектов структуры в полупроводниковых кристаллах методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии. Это направление развивают: к. ф.-м. н. Федина Людмила Ивановна и к. ф.-м. н. Гутаковский Антон Александрович.
Есть ли студенты в лаборатории? Магистранты:
  1. Косолобов Сергей С. Тема исследований: Изучение стабильности морфологии поверхностей кремния в присутствии газовой атмосферы методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии.
  2. Савенко Владимир Н. Тема исследований: Изучение начальных стадий адсорбции атомов металлов на поверхности кремния (111) методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии.
  3. Щеглов Дмитрий В. Изучение влияния эффектов электромиграции на поверхностную морфологию Si(100)методом просвечивающей электронной микроскопии в сверхвысоком вакууме.

© 1999 — 2003 Журнал «Физика и студенты» Дизайн 2003 Майоров Александр
Оформление: Игорь Плотников
Материал: Александр С. Золкин